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元件参数资料
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参数目录36105
> KSD2012GTU TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F
型号:
KSD2012GTU
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
KSD2012GTU PDF
标准包装
50
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
1V @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
150 @ 500mA,5V
功率 - 最大
25W
频率 - 转换
3MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220F
包装
管件
查看KSD2012GTU代理商
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